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MJD18002D2T4中文资料

MJD18002D2T4图片

MJD18002D2T4外观图

  • 大小:129.06KB
  • 厂家:ONSEMI
  • 描述:ON Semiconductor [POWER TRANSISTOR 2 AMPERES 1000 VOLTS, 50 WATTS Bipolar NPN Transistor]
  • 制造商:ON Semiconductor
  • 产品种类:Transistors Bipolar (BJT)
  • 晶体管极性:NPN
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO:450 V
  • 发射极 - 基极电压 VEBO:11 V
  • 最大直流电集电极电流:2 A
  • 直流集电极/Base Gain hfe Min:14
  • 配置:Single
  • 最大工作温度:+ 150 C
  • 安装风格:SMD/SMT
  • 封装 / 箱体:TO-252-3 (DPAK)
  • 封装:Reel
  • 最小工作温度:- 65 C
  • 功率耗散:50000 mW
  • 工厂包装数量:2500

MJD18002D2T4供应商

更新时间:2023-01-19 06:31:49
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